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ALD保护膜沉积

产品与技术


原子层沉积技术原理

●  ALD(单原子层沉积)原理是二种反应气体交替反应,每一次只有一种反应物在表面形成单原子层,多余的反应物被purge气体排出反应腔;

●  根据ALD反应机理,薄膜是单原子层二维生长,因此制备的材料质量高、均匀度好。

 

LED Al2O3 ALD沉积工艺

●  ALD方法镀膜,晶体质量高,覆盖性好,特别是对LED侧壁有很好的保护

●  Al2O3 比SiO2介电常数更高,绝缘保护性能更好, 透水率低,可以取代PECVD SiO2 作为芯片的封装层,提高芯片出光效率和潮湿环境下的可靠性

●  ALD AlN可以用于GaN LED 生长的缓冲层,提高LED的性能和产能